view in publisher's site

Photoluminescence of I-VII Semiconductor Compounds. Sensitized Luminescence from “Deep States” Recombination in CuBr/AgBr Nanocrystals

Abstract The photoluminescence (PL) properties of CuBr and CuBr/AgBr semiconductor nanocrystals (NCs) embedded in borosilicate glasses are measured under band‐to‐band excitation by a 355‐nm Nd YAG laser. We observed emission from CuBr (peaked at 520 nm) doped glass, which is associated with deep states in CuBr NCs. We also observed the sensitized blue to orange‐red emission in CuBr/AgBr‐glass systems (peaked at 520 and 570 nm), in which the luminescence intensity of CuBr decreases with increasing AgBr concentrations, while it is enhanced significantly around 570 nm. The results are discussed by the possible energy transfer between them, or by the multi‐exitonic recombination process which ejects an excited carrier from CuBr to AgBr NCs.

photoluminescence از ترکیبات Semiconductor I - ۷. (sensitized luminescence)از طرف "ایالات عمیق" نوترکیبی در CuBr / AgBr nanocrystals

چکیده ویژگی‌های photoluminescence پلی فنول (PL)و پلی semiconductor نیمه‌هادی (پلی NCs)جاسازی‌شده در شیشه‌های borosilicate با تحریک باند به باند توسط لیزر ۳۵۵ نانومتر Nd اندازه‌گیری می‌شود. ما انتشار تشعشع را از mg ۵۰ (۰ / ۰ در ۵۲۰ نانومتر)را مشاهده کردیم که همراه با ایالت‌های بسیار عمیق در CuBr CuBr است. همچنین توجه ما نسبت به تابش نارنجی - قرمز در سیستم‌های شیشه‌ای ۵۰ / ۵۰ / ۵۰ نانومتر (peaked ۵۲۰ و ۵۷۰ نانومتر)مشاهده شد که در آن شدت luminescence (۵۰ / ۵۰ نانومتر)با افزایش غلظت AgBr کاهش می‌یابد، در حالی که در حدود ۵۷۰ نانومتر افزایش‌یافته است. نتایج با انتقال انرژی ممکن بین آن‌ها و یا فرآیند نوترکیبی چند وجهی مورد بحث قرار می‌گیرند، که حامل یک حامل هیجان از یکسو کننده به AgBr NCs می‌باشد.
ترجمه شده با

Download PDF سفارش ترجمه این مقاله این مقاله را خودتان با کمک ترجمه کنید
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.