view in publisher's site

Unfolding the Threshold Switching Behavior of a Memristor

Employing a mathematical model based upon Chua’s unfolding theorem, some aspects of the nonlinear dynamics of a thermally-activated micro-scale NbO x /Nb 2 O 5 volatile memristor were modeled. Insights into the peculiar behavior of the device are gained through experiments and model-based simulations. Particularly, this enables us to reproduce its threshold switching behavior under quasi-static excitation, and to explain under which conditions the off-to-on switching is accompanied by the appearance of a negative differential resistance region on its current-voltage characteristic.

Unfolding رفتار تغییر آستانه یک Memristor

با استفاده از یک مدل ریاضی مبتنی بر قضیه آشکار چاو، برخی از جنبه‌های دینامیک غیر خطی یک مقیاس میکرو فعال شده از لحاظ حرارتی مورد بررسی قرار گرفتند. نگرش‌هایی نسبت به رفتار ویژه این دستگاه از طریق آزمایش‌ها و شبیه‌سازی‌های مبتنی بر مدل بدست می‌آید. به ویژه، این امر ما را قادر می‌سازد تا رفتار سوئیچینگ آستانه را تحت تحریک شبه استاتیک تولید کنیم و توضیح دهیم که تحت کدام شرایط سوئیچینگ به سمت تغییر، با ظهور یک منطقه مقاومت دیفرانسیل منفی بر روی مشخصه ولتاژ - ولتاژ آن همراه است.

ترجمه شده با

Download PDF سفارش ترجمه این مقاله این مقاله را خودتان با کمک ترجمه کنید
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.