view in publisher's site

Basic Concept of Field-Effect Transistors

In this chapter, first the basic concept of FETs is introduced. In addition, in three subsections, the concepts related to the length of saturation velocity region, impact ionization and lateral breakdown are discussed. Finally, graphene is introduced as a candidate for transistor channel and its properties related to FET are studied.

Download PDF سفارش ترجمه این مقاله این مقاله را خودتان با کمک ترجمه کنید
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.