view in publisher's site

Cobalt germanide contacts: growth reaction, phase formation models, and electrical properties

State of the art of cobalt germanide contacts to semiconductor devices is reviewed in this article. First, evolution of contacts is covered from the dawn of the transistor to present day. The history of contact has three stages: (a) elemental metals as direct contacts to the semiconductor with focus on aluminum, (b) self-aligned silicide contacts, and, recently, (c) the paradigm shift that emphasizes the interface contact resistivity. The second section outlines the current role of germanium in the semiconductor industry and the reasons cobalt germanide is an ideal contact material to germanium and silicon germanium semiconductor devices. Fundamental physical properties of cobalt germanides are presented next. Models for phase formation sequence are, then, detailed. This is followed by a comprehensive survey of the experimental results of formation of cobalt germanides. Those results are discussed and reconciled. Factors affecting the resulting phases and their quality are identified and some optimum choices for the experimental parameters are pointed based on the survey. After that, electrical properties of the contact are discussed. The role of germanium crystal orientation in ohmic and Schottky properties of the contact is analyzed. Fermi level pinning (FLP) plays a role mainly on metal/(100) n-type Ge interfaces. The role of FLP is minimal on p-type Ge and other crystalline orientations. Schottky barrier heights (SBH’s) for cobalt and cobalt germanide contacts reported in the literature are surveyed. Mechanisms of FLP and methods adopted by the industry to depin the fermi level at the interface are outlined. The electrical properties section is concluded with a subsection that focuses on the effect of the crystallinity of the contact material on its electrical behavior. Crystalline cobalt germanides are expected to have lower interface resistivities compared to those calculated based on the SBH survey. The role of heat during Co deposition to obtain epitaxial germanides is pointed. Finally, current challenges and future trends of cobalt germanide contacts are summarized.

پیوندهای germanide کبالت: واکنش رشد، مدل‌های تشکیل فاز، و خواص الکتریکی

در این مقاله، وضعیت هنر تماس germanide کبالت با ابزارهای نیمه‌هادی مورد بررسی قرار می‌گیرد. اول، تکامل تماس‌ها از سپیده‌دم ترانزیستور تا امروز پوشش داده می‌شود. سابقه تماس سه مرحله دارد: (الف)فلزات عنصری به عنوان تماس مستقیم با نیمه‌هادی با تمرکز بر آلومینیوم، (b)تماس‌های self همتراز شده، و اخیرا، (c)تغییر پارادایم که بر مقاومت تماس مشترک تاکید دارد. بخش دوم، نقش جاری ژرمانیوم در صنعت نیمه‌هادی‌ها را تشریح می‌کند و دلایل germanide کبالت یک ماده تماس ایده‌آل برای دستگاه‌های semiconductor ژرمانیوم و ژرمانیوم است. خواص فیزیکی اساسی germanides کبالت نیز در ادامه ارایه می‌شود. مدل‌هایی که برای توالی تشکیل فاز وجود دارند، پس از آن به تفصیل شرح داده می‌شوند. این امر با بررسی جامع نتایج تجربی شکل‌گیری of کبالت انجام می‌شود. این نتایج مورد بحث و آشتی قرار می‌گیرند. عوامل موثر بر فازه‌ای حاصل و کیفیت آن‌ها شناسایی و برخی از گزینه‌های بهینه برای پارامترهای تجربی براساس نظرسنجی بیان می‌شوند. پس از آن، ویژگی‌های الکتریکی تماس مورد بحث قرار می‌گیرند. نقش جهت گیری بلور ژرمانیوم در خواص اهمی و Schottky تماس مورد تجزیه و تحلیل قرار می‌گیرد. میخکوبی سطح فرمی (flp)به طور عمده بر روی واسط metal نوع - (۱۰۰)n - نوع بازی می‌کند. نقش of در Ge نوع p و دیگر جهت گیری های بلوری کم‌تر است. ارتفاع سد Schottky (sbh)برای تماس‌های germanide کبالت و کبالت در ادبیات مورد بررسی قرار گرفته‌است. مکانیسم‌های of و روش‌هایی که توسط صنعت برای depin سطح فرمی در سطح مشترک بکار گرفته می‌شوند، به طور خلاصه بیان می‌شوند. بخش خواص الکتریکی با یک زیر بخش نتیجه‌گیری می‌شود که بر تاثیر بلورینگی مواد تماسی بر روی رفتار الکتریکی آن تمرکز دارد. انتظار می‌رود که germanides های بلوری کبالت در مقایسه با آن‌هایی که براساس بررسی sbh محاسبه شده‌اند، رابط کاربری کمتری داشته باشند. نقش گرما در طی نشست Co برای به دست آوردن epitaxial germanides نشان‌داده شده‌است. در نهایت، چالش‌های جاری و رونده‌ای آینده ارتباطات germanide کبالت خلاصه می‌شوند.
ترجمه شده با


پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • ترجمه مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • مقاله مهندسی برق و الکترونیک
  • ترجمه مقاله مهندسی برق و الکترونیک
  • مقاله Condensed Matter Physics
  • ترجمه مقاله Condensed Matter Physics
  • مقاله فیزیک ماده چگال
  • ترجمه مقاله فیزیک ماده چگال
  • مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • ترجمه مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • ترجمه مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • مقاله Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • ترجمه مقاله Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • مقاله فیزیک اتمی، مولکولی و اپتیک
  • ترجمه مقاله فیزیک اتمی، مولکولی و اپتیک
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.