view in publisher's site

Schmitt trigger-based single-ended 7T SRAM cell for Internet of Things (IoT) applications

The Internet of Things is an emerging application area which is going to become one of the leading electronic hubs in the semiconductor industry. The IoT systems require battery-enabled energy-efficient memory circuits to operate at ultra-low voltage (ULV). In this paper, a novel Schmitt trigger-based, single-ended 7-Transistor (7T) Static Random Access Memory (SRAM) cell which uses dynamic body bias technique for IoT applications is presented. The proposed 7T SRAM cell is designed using standard 45nm Complementary Metal Oxide Semiconductor technology at an ULV of 0.3V. The post-layout simulation results have shown more than 22% improvements in the Read Static Noise Margin and more than 44% write, 63% read energy savings in comparison with the conventional 6T cell, 7T, single-ended 8T, and Schmitt trigger 11T cell designs. The proposed design is also found to be stable at different process corners and supply voltages. A new quality metric SNM per unit Area to Energy Ratio which evaluates the overall performance of the SRAM cell design is calculated and is found to be highest for the proposed design.

یک سلول SRAM ۷ T تک انتها بر پایه trigger برای اینترنت از اشیا (IoT)

اینترنت از چیزها یک حوزه کاربردی در حال ظهور است که قرار است به یکی از قطب‌های اصلی الکترونیکی در صنعت نیمه‌هادی‌ها تبدیل شود. سیستم‌های IoT نیاز به مدارهای حافظه کارآمد با قابلیت باتری دارند تا در ولتاژ بسیار پایین کار کنند (ulv). در این مقاله، یک سلول حافظه دسترسی تصادفی Schmitt (۷ T)ایستا (۷ T)ایستا (۷ T)ایستا (SRAM)که از تکنیک بایاس بدنه پویا برای کاربردهای IoT استفاده می‌کند، ارایه شده‌است. سلول SRAM ۷ T پیشنهاد شده با استفاده از تکنولوژی نانو فیبر نوری مکمل ۴۵ nm با تکنولوژی ۰.۳ ولت طراحی شده‌است. نتایج شبیه‌سازی پس از چیدمان بیش از ۲۲ % بهبود در حاشیه نویز ثابت و بیش از ۴۴ % نوشتن، ۶۳ % صرفه‌جویی در انرژی را در مقایسه با the معمولی ۶ T، ۷ T، T تک انتها، و Schmitt راه‌انداز ۱۱ T نشان داده‌است. همچنین مشخص شد که طرح پیشنهادی در گوشه‌ها و ولتاژهای تغذیه ثابت است. معیار کیفیت جدید SNM در واحد سطح به نسبت انرژی که عملکرد کلی طراحی سلول SRAM را ارزیابی می‌کند محاسبه می‌شود و مشخص می‌شود که برای طرح پیشنهادی بالاترین است.

ترجمه شده با

Download PDF سفارش ترجمه این مقاله این مقاله را خودتان با کمک ترجمه کنید
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.