view in publisher's site

Uniform single-layer graphene growth on recyclable tungsten foils

To meet the rising demand of graphene in electronics and optoelectronics, developing an efficient synthesis strategy for effective control of the layer thickness is highly necessary. Herein, we report the synthesis of strictly single-layer graphene on the foil of an early transition metal, tungsten (W), via a simple chemical vapor deposition route. The cracking of hydrocarbons is facilitated by the catalytically active metal surface of W, while the subsequent two-dimensional growth is mediated by the carbide-forming ability within the underlying bulk, leading to the formation of uniform monolayer graphene. The as-grown graphene layers can be transferred onto target substrates rapidly through the recently developed electrochemical method, which also allows for reuse of the substrates at least five times without introducing quality deterioration. Moreover, considering the refractory nature of W foils, a complementary component of nickel is added, by means of which the growth temperature of graphene can be significantly reduced. In brief, a highly-efficient and low-cost synthesis route has been developed for the growth of graphene towards large-area uniformity, single-layer thickness and high crystalline quality.Open image in new window

رشد گرافین تک لایه بر روی فویل‌های فلزی قابل بازیافت

برای برآورده کردن تقاضای فزاینده گرافن در الکترونیک و optoelectronics، توسعه یک استراتژی سنتز کارآمد برای کنترل موثر ضخامت لایه بسیار ضروری است. در اینجا ما سنتز of به شدت تک لایه را بر روی فویل یک فلز گذار اولیه، تنگستن (W)، از طریق یک مسیر رسوب شیمیایی ساده تجزیه و تحلیل می‌کنیم. شکاف هیدروکربن‌ها توسط سطح فلزی فعال کاتالیستی در W تسهیل می‌شود، در حالی که رشد دو بعدی بعدی با توانایی تشکیل کاربید در درون بخش زیرین، منجر به شکل‌گیری گرافین تک لایه یکنواخت می‌شود. لایه‌های گرافن می‌توانند به سرعت از طریق روش الکتروشیمیایی توسعه‌یافته به طور سریع به لایه‌های هدف منتقل شوند، که همچنین امکان استفاده مجدد از لایه‌های حداقل پنج بار را بدون ایجاد خرابی کیفیت فراهم می‌کند. علاوه بر این، با در نظر گرفتن ماهیت refractory قلع، یک جز مکمل از نیکل اضافه شده‌است، که به وسیله آن دمای رشد گرافین را می توان به طور قابل‌توجهی کاهش داد. به طور خلاصه، یک مسیر سنتز کم‌هزینه و کم‌هزینه برای رشد گرافین به سمت یکنواختی سطح بزرگ، ضخامت تک لایه و تصویر quality.Open با ساختار بالا در پنجره جدید توسعه یافته‌است.

ترجمه شده با

Download PDF سفارش ترجمه این مقاله این مقاله را خودتان با کمک ترجمه کنید
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.