view in publisher's site

Frequency dependence on temperature of AC conductance in silicon detectors

Measurements of the real and imaginary parts of admittance Y as a function of frequency ω, up to 103 kHz at temperatures 10 K ≤ T ≤ 270 K, were performed. The corresponding electric circuit model of Y(ω) was calculated. A quadratic dependence of G(ω) on ω for 40 K ≤ T ≤ 270 K was obtained. At lower temperatures, T ≤ 40 K, a dependence of G on ωn was obtained, where n < 2. It was shown that the value of ω where n < 2 (ω = ωc) depends on T: with decreasing T the value of ωc decreases. For T ≤ 20 K freeze out of free carriers produces a strong reduction of G and independence on ω. It was shown that the resistivity ϱ is a function of T and two types of behaviour appear (phonon scattering and freeze-out phenomena) in the interval 10 K ≤ T ≤ 270 K.

وابستگی فرکانس به دمای رسانایی AC در آشکارسازهای سیلیکون

اندازه‌گیری‌های بخش‌های واقعی و فرضی ادمیتانس Y به عنوان تابعی از فرکانس ω، تا ۱۰۳ کیلو هرتز در دماهای، انجام شده‌است. مدل مدار الکتریکی متناظر Y (w)محاسبه شد. وابستگی درجه‌دوم بر روی برای بدست آمد. در دماهای پایین‌تر، T ۴۰ K، وابستگی G به θ [ n ] به دست آمد، که در آن n [ ۲ ] [ ۲ ]. نشان داده شد که مقدار ω که در آن n [ ۲ ] (ω = ω [ c ])به T بستگی دارد: با کاهش T، مقدار θ [ c ] کاهش می‌یابد. برای T ۲۰ K توقف از حامل‌های آزاد کاهش قوی و استقلال در ω ایجاد می‌کند. نشان‌داده شده‌است که مقاومت برشی تابعی از T است و دو نوع رفتار در فاصله ۱۰ K - T ۲۷۰ K ظاهر می‌شوند (پدیده پراکندگی فونون و توقف).
ترجمه شده با

سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.