view in publisher's site

Electrical characterization of solar sensitive zinc oxide doped-amorphous carbon photodiode

A new solar-sensitive zinc oxide doped-amorphous carbon diode was fabricated using the electrochemical deposition technique. The current-voltage characteristics of the fabricated Al/ZnO-a:C/p-Si/Al diode were investigated under dark and various lighting intensities using both I-V and C-V methods. The fabricated diode was characterized by XRD, SEM-EDS, FTIR and XPS analysis. Through the analysis, it was determined that the photocurrents increased with increasing intensity of incident light. The capacitance-voltage (C-V) characteristics revealed that the capacitance of the diode depended on voltage, frequency and illumination, indicating the existence of a continuous distribution of interface states. It was found that the capacitance changed drastically with changing frequency and separation was observed in different frequencies, as identified in the reverse bias region. The ideality factor obtained was found to be higher than unity, with the average barrier height and ideality factor of the diode were found to be 0.528 ± 0.0069 eV and 5.24 ± 0.39, respectively. The newly fabricated ZnO-doped amorphous carbon (Al/ZnO-a:C/p-Si/Al) photodiode exhibited good solar sensitivity. The overall results indicated that the fabricated Al/ZnO-a:C/p-Si can be used as a solar sensitive diode in optoelectronic device applications as an alternative to graphene-based materials.

مشخصه یابی الکتریکی of کربنی حساس به اکسید روی اکسید شده با اکسید روی

یک دیود کربنی حساس به اکسید روی جدید با استفاده از تکنیک رسوب الکتروشیمیایی ساخته شد. مشخصات ولتاژ - ولتاژ of ساخته‌شده از ZnO - a: C / p - Si / Al در شدت‌های نوری و نوری مختلف با استفاده از دو روش I - V و C - V مورد بررسی قرار گرفتند. دیود ساخته‌شده توسط XRD، SEM - EDS، FTIR و XPS مشخصه یابی شد. از طریق تجزیه و تحلیل مشخص شد که the با افزایش شدت نور رویداد افزایش می‌یابد. مشخصه‌های خازن - ولتاژ (C - V)آشکار کرد که ظرفیت دیود دیود به ولتاژ، فرکانس و روشنایی وابسته است که نشان‌دهنده وجود یک توزیع پیوسته از حالت‌های رابط است. مشخص شد که ظرفیت خازنی با تغییر فرکانس و جدایی به طور چشمگیری تغییر می‌کند، همانطور که در منطقه بایاس معکوس شناسایی شده‌است. فاکتور ideality که به دست آمد بیشتر از وحدت بود، با متوسط ارتفاع مانع و ضریب ideality دیود به ترتیب برابر ۰.۵۲۸ ± ۰.۰۰۶۹ eV و ۵.۲۴ ± ۰.۳۹ محاسبه شد. کربن آمورف به تازگی ساخته‌شده از ZnO (Al - a: C / p - Si / Al)حساسیت خورشیدی خوبی را نشان می‌دهد. نتایج کلی نشان داد که ZnO / a - a: C / p - Si می‌تواند به عنوان یک دیود حساس خورشیدی در کاربردهای دستگاه optoelectronic به عنوان جایگزینی برای مواد مبتنی بر گرافن مورد استفاده قرار گیرد.
ترجمه شده با


پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • ترجمه مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • ترجمه مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • مقاله Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • ترجمه مقاله Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • مقاله فیزیک اتمی، مولکولی و اپتیک
  • ترجمه مقاله فیزیک اتمی، مولکولی و اپتیک
  • مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • ترجمه مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • مقاله مهندسی برق و الکترونیک
  • ترجمه مقاله مهندسی برق و الکترونیک
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.