view in publisher's site

Electronic and optical properties of two propounded compound in photovoltaic applications, CsPbI3 and CH3NH3PbI3: By DFT

Halide perovskite compounds are the serious contenders for conventional materials used in photovoltaic devices that will provide a bright future for solar cell industry. Therefore, preparing a comprehensive insight about their properties is necessary. In this regard, the electronic and optical studies of two important perovskite compound CsPbI3 and CH3NH3PbI3 in the cubic phase are performed by first- principle method in Density Function Theory (DFT), using several approximations namely GGA, t-mbj and other types of t-mbj approximation with the tuned coefficient including k-mbj and new mbj approximations. In addition to utilizing different approximations, the effect of spin orbit coupling which is critical in these compounds, is evaluated in all of them to obtain realistic results. The band gaps calculated within new mbj approximation through spin orbit coupling are 1.34 eV and 1.49 eV for CsPbI3 and CH3NH3PbI3, respectively that unlike other DFT-based electronic calculations are in agreement with experimental results. Values of estimated effective masses of carriers represent lighter carriers for CH3NH3PbI3 in comparison to CsPbI3. Optical calculations of frequency dependent dielectric function confirm non isotropic property in organic- inorganic perovskite CH3NH3PbI3 and estimate value of static refraction index equal to 2.47 which is in agreement with experimental measurements.

- ویژگی‌های نوری و نوری دو ترکیب propounded در کاربردهای فتوولتائیک، CsPbI۳ و CH۳NH۳PbI۳: تا DFT

halide ترکیبات perovskite رقبای جدی برای مواد متعارف مورد استفاده در دستگاه‌های فتو ولتاییک می‌باشند که آینده‌ای روشن برای صنعت انرژی خورشیدی فراهم می‌کنند. بنابراین، تهیه یک بینش جامع در مورد خواص آن‌ها ضروری است. در این رابطه، مطالعات الکترونیک و نوری دو ترکیب اصلی perovskite و CH۳NH۳PbI۳ در فاز مکعبی با استفاده از چندین تقریب به نام‌های GGA، t - mbj و انواع دیگر تقریب t با ضریب تنظیم‌شده شامل k - mbj و تقریب mbj جدید انجام می‌شود. علاوه بر استفاده از تقریب مختلف، تاثیر جفت سازی مدار چرخش که در این ترکیب‌ها حیاتی است، در همه آن‌ها ارزیابی می‌شود تا نتایج واقع گرایانه به دست آید. شکاف‌های باند که در تقریب mbj جدید از طریق کوپلینگ های مدار چرخش محاسبه می‌شوند به ترتیب برابر با ۱.۲ eV و ۱.۴۹ eV برای CsPbI۳ و CH۳NH۳PbI۳ هستند که بر خلاف سایر محاسبات الکترونیکی مبتنی بر DFT، با نتایج تجربی همخوانی دارند. مقادیر انبوه محاسبه‌شده از حامل‌ها، حامل‌های سبک‌تر را برای CH۳NH۳PbI۳ در مقایسه با CsPbI۳ نشان می‌دهند. محاسبات نوری تابع دی‌الکتریک وابسته به فرکانس، خاصیت non را در CH۳NH۳PbI۳ غیر آلی - تایید می‌کند و مقدار شاخص انکسار استاتیک معادل با ۲.۴۷ که در تطابق با اندازه‌گیری‌های تجربی است را تایید می‌کند.
ترجمه شده با


پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • ترجمه مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • ترجمه مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • مقاله Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • ترجمه مقاله Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • مقاله فیزیک اتمی، مولکولی و اپتیک
  • ترجمه مقاله فیزیک اتمی، مولکولی و اپتیک
  • مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • ترجمه مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • مقاله مهندسی برق و الکترونیک
  • ترجمه مقاله مهندسی برق و الکترونیک
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.