view in publisher's site

First-principles study of electronic and optical properties of antimony sulphide thin film

First-principles quantum mechanical computational methods are significant tools to understand the details of crystal structures which might be difficult through experimentation. In this paper, we have presented the electronic and optical properties of the thin film structure of Sb2S3 in (001) orientation. Density functional theory based approaches are employed to determine the band structure, density of states (DOS), dielectric function and other optical parameters. Here, the investigations have been performed by full-potential linearized augmented plane-wave method (FP-LAPW) within the WIEN2k computational code. The band structure computations are done at the level of LDA-PW, PBE-GGA, PBE-GGA with SOC and PBE-GGA with mBJ potential, whereas for optical properties only PBE-GGA with mBJ potential was applied. Our calculations revealed that similar to optical properties, Sb2S3 (001) oriented thin film had shown a reduction in the band gap energy than its counterpart bulk structure. This reduction, in the electronic and optical parameters, might be better understood in the course of quantum confinement effect for improving its performance for optoelectronics applications.

نخستین مطالعه از ویژگی‌های الکترونیکی و نوری این فیلم، بررسی خواص الکترونیکی و نوری این شهرستان است.

اول - اصول و روش‌های محاسباتی مکانیک کوانتومی ابزارهای مهمی برای درک جزییات ساختارهای بلوری هستند که ممکن است از طریق آزمایش‌ها دشوار باشند. در این مقاله، ما ویژگی‌های نوری و نوری ساختار لایه نازک of را در جهت (۰۰۱)نشان داده‌ایم. رویکردهای مبتنی بر تئوری چگالی، برای تعیین ساختار باند، چگالی حالات (داس)، عملکرد دی‌الکتریک و دیگر پارامترهای اپتیکی، به کار گرفته می‌شوند. در اینجا، تحقیقات توسط یک روش موج - تقویت‌شده با پتانسیل کامل (FP - LAPW)در درون کد محاسباتی WIEN۲k انجام شده‌است. محاسبات ساختار باند در سطح تخصیص دیریکله نهفته، PBE - GGA، PBE - GGA با پتانسیل mBJ و PBE - GGA با پتانسیل mBJ انجام شده‌است، در حالی که برای ویژگی‌های نوری تنها PBE - GGA با پتانسیل mBJ اعمال شده‌است. محاسبات ما نشان داد که مشابه ویژگی‌های نوری، لایه نازک Sb۲S۳ (۰۰۱)کاهش در انرژی شکاف باند را نسبت به ساختار حجیم خود نشان داده‌است. این کاهش در پارامترهای الکترونیکی و اپتیکی برای بهبود عملکرد خود برای کاربردهای optoelectronics ممکن است بهتر درک شود.
ترجمه شده با


پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • ترجمه مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • ترجمه مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • مقاله Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • ترجمه مقاله Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • مقاله فیزیک اتمی، مولکولی و اپتیک
  • ترجمه مقاله فیزیک اتمی، مولکولی و اپتیک
  • مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • ترجمه مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • مقاله مهندسی برق و الکترونیک
  • ترجمه مقاله مهندسی برق و الکترونیک
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.