view in publisher's site

Ab-initio calculation on electronic and optical properties of ThO2, UO2 and PuO2

We have investigated the structural and electronic properties of oxides of Th, U and Pu using GGA + U method. Structure of these oxides is of cubic nature and they have indirect band gaps of 4.34 eV along M→R (ThO2), 2.30 eV along Γ→R (UO2) and 2.27 eV along M→R (PuO2). The density of states (DOS) of these oxides shows main contribution of 2p orbital in valence band maxima (VBM) of ThO2 and PuO2 while in UO2 5f orbital contributes mainly in VBM. We also investigated the optical properties of these oxides and found that static dielectric function increases from ThO2 to PuO2.

محاسبه initio بر روی ویژگی‌های الکترونیکی و نوری of، UO۲ و PuO۲

ما خواص ساختاری و الکترونیکی اکسیده‌ای of، U و پو با استفاده از روش GGA + U را بررسی کردیم. ساختار این اکسیدها of مکعبی است و دارای شکاف‌های نواری غیرمستقیم of eV در امتداد MR (ThO۲)و ۲.۲۷ eV در امتداد MR (PuO۲)هستند. چگالی حالات (داس)این اکسیدها، سهم اصلی اوربیتال های ۲ p را در باند ظرفیت maxima و vbm نشان می‌دهد در حالی که در اوربیتال ۵ f عمدتا در vbm مشارکت می‌کند. ما همچنین خواص نوری این اکسیدها را بررسی کردیم و دریافتیم که تابع دی‌الکتریک استاتیک از ThO۲ به PuO۲ افزایش می‌یابد.

ترجمه شده با

Download PDF سفارش ترجمه این مقاله این مقاله را خودتان با کمک ترجمه کنید
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.