view in publisher's site
- خانه
- لیست مقالات
- چکیده
Synthesis of gallium arsenide nanostructures for solar cell applications
Highlights•GaAs nanostructures on Au coated Si for Solar Cell Applications.•High absorption in broad spectral range make them suitable for solar cell.•Actual solar cell I-V curve show enhancement in fill factor and efficiency.AbstractGallium arsenide (GaAs) nanostructures are fabricated on gold coated silicon substrate with the help of GaAs ions generated by high density, high temperature and extremely non-equilibrium argon plasma in a modified dense plasma focus device. The nanostructures were found to have average dimension in range of 17 nm to 21 nm. It is found that the gold acts as a nucleating agent for growth of GaAs nanostructures. Emission peak in photoluminescence spectra confirms good quality of nanostructures related to its purity. These nanostructures are found to possess the high absorption in a wide optical range which will have applications in solar cell. Hall measurements reveal high carrier concentration of ~2.4 × 1019 cm−3. The electrical properties show open circuit voltage of 0.50 V, short circuit current density of 32.7 mA/cm2, fill factor of 80% and efficiency ~13.12%. The obtained optical and electrical transport properties indicate that the GaAs nanostructures so obtained are the potential candidate for solar cell applications.
سنتز نانوساختارهای گالیوم آرسناید برای کاربردهای سلول خورشیدی
کاره‌ای برجسته - نانوساختارهای GaAs بر روی Si پوشیده شده بر روی آلومینیوم برای کاربردهای سلول خورشیدی.
جذب بالا در طیف طیفی گسترده آن‌ها را برای سلول خورشیدی مناسب می‌سازد.
منحنی I - V سلول خورشیدی واقعی، افزایش در ضریب پر شدن را نشان می‌دهد و کارایی را نشان می‌دهد.
نانوساختارها دارای ابعاد متوسط در محدوده ۱۷ تا ۲۱ نانومتر بودند.
معلوم شده‌است که طلا به عنوان عامل هسته زا برای رشد نانوساختارهای GaAs عمل می‌کند.
پیک انتشار در طیف فوتولومینسنس، کیفیت خوب نانوساختارهای مربوط به خلوص آن را تایید می‌کند.
مشخص شده‌است که این نانوساختارها دارای جذب بالایی در گستره نوری وسیعی هستند که کاربردهایی در سلول خورشیدی خواهند داشت.
اندازه‌گیری‌های هال نشان‌دهنده غلظت بالای حامل حدود ۲.۴ * ۱۰۱۹ cm - ۳ است.
خواص الکتریکی، ولتاژ مدار باز ۰.۵۰ ولت، چگالی جریان مدار کوتاه ۳۲.۷ mA / cm۲، ضریب پر کننده ۸۰ % و بازده ۱۳.۱۲ % را نشان می‌دهد.
خواص اپتیکی و انتقال الکتریکی به‌دست‌آمده نشان می‌دهد که نانوساختارهای GaAs که به دست آمده‌اند، کاندیدای بالقوه ای برای کاربردهای سلول خورشیدی هستند.
ترجمه شده با 
- مقاله Mechanical Engineering
- ترجمه مقاله Mechanical Engineering
- مقاله مهندسی مکانیک
- ترجمه مقاله مهندسی مکانیک
- مقاله General Materials Science
- ترجمه مقاله General Materials Science
- مقاله علوم مواد عمومی
- ترجمه مقاله علوم مواد عمومی
- مقاله Mechanics of Materials
- ترجمه مقاله Mechanics of Materials
- مقاله مکانیک مواد
- ترجمه مقاله مکانیک مواد
- مقاله Condensed Matter Physics
- ترجمه مقاله Condensed Matter Physics
- مقاله فیزیک ماده چگال
- ترجمه مقاله فیزیک ماده چگال
ترجمه کنید