view in publisher's site

Optimized optical band gap energy and Urbach tail of Cr2S3 thin films by Sn incorporation for optoelectronic applications

In this study, the Cr2S3-based thin films were successfully prepared by a simple chemical spray pyrolysis method. The effect of Sn2+ incorporation at different contents (0 ≤ Sn2+ ≤ 0.25 mol) on the microstructural, optical, and optoelectrical properties of the thin films was investigated. The formation of high purity Cr2S3 and Sn-doped Cr2S3 thin films with a rhombohedral crystalline phase was confirmed by the grazing incident X-ray diffraction results and energy dispersive X-ray analysis. The surface morphology of thin films was observed using field emission scanning electron microscopy. The optical band gap energy and width of the Urbach tail were evaluated as a function of Sn2+ doping from the optical absorption coefficient of the samples. By increasing the Sn2+ content, a considerable narrowing of about 0.50 eV was observed in the optical band gap energy; while the Urbach energy was found to gradually increase up to 0.992 eV for the sample containing a high-content of Sn2+. A linear relationship between the optical band gap and Urbach energies was also proposed. Finally, the effect of optically changes on the photosensing performance and time-response switching of the pure Cr2S3 and Sn-doped Cr2S3 thin films was studied for the first time, in which the photosensitivity of the samples enhanced over 25 times, as the content of Sn2+ increased into the Cr2S3 host structure.

انرژی شکاف باند نوری بهینه و دم Urbach فیلم‌های نازک Cr۲S۳ با ترکیب Sn for برای کاربردهای optoelectronic

در این تحقیق، فیلم‌های نازک مبتنی بر Cr۲S۳ با استفاده از روش اسپری خشک شیمیایی ساده تهیه شدند. تاثیر Sn۲ + ترکیب در محتویات مختلف (۰ Sn۲ + ۰.۲۵ مول)بر روی خواص ریزساختاری، نوری و optoelectrical لایه‌های نازک مورد بررسی قرار گرفت. تشکیل لایه‌های خلوص بالا و Cr۲S۳ doped - با یک فاز کریستالی rhombohedral توسط رویداد می‌چریدند اشعه ایکس با نتایج پراش اشعه ایکس و تجزیه و تحلیل انرژی ایکس تایید شدند. مورفولوژی سطح فیلم‌های نازک با استفاده از میکروسکوپ الکترونی اسکن کننده میدان مشاهده شد. انرژی شکاف باند نوری و عرض دم Urbach به عنوان تابعی از Sn۲ + دوپینگ از ضریب جذب نوری نمونه‌ها مورد ارزیابی قرار گرفت. با افزایش مقدار Sn۲ + مقدار قابل‌توجهی در حدود ۵۰ ر ۰ eV در انرژی شکاف باند نوری مشاهده شد، در حالی که انرژی Urbach به تدریج به ۰.۹۹۲ eV برای نمونه حاوی محتوای بالای Sn۲ + افزایش یافت. یک رابطه خطی بین فاصله باند نوری و انرژی‌های تجدید پذیر نیز پیشنهاد شده‌است. در نهایت، اثر تغییرات نوری بر روی عملکرد photosensing و تغییر پاسخ زمان - پاسخ لایه‌های نازک Cr۲S۳ و Sn - برای اولین بار مورد مطالعه قرار گرفت، که در آن the نمونه‌های بیش از ۲۵ بار افزایش یافت، به طوری که محتوای of + در ساختار میزبان Cr۲S۳ افزایش یافت.
ترجمه شده با


پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله Condensed Matter Physics
  • ترجمه مقاله Condensed Matter Physics
  • مقاله فیزیک ماده چگال
  • ترجمه مقاله فیزیک ماده چگال
  • مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • ترجمه مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • ترجمه مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • ترجمه مقاله Electrical and Electronic Engineering
  • مقاله مهندسی برق و الکترونیک
  • ترجمه مقاله مهندسی برق و الکترونیک
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.