view in publisher's site

Characterisation of silicon carbide films deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition

The paper presents a characterisation of amorphous silicon carbide films deposited in plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) reactors for MEMS applications. The main parameter was optimised in order to achieve a low stress and high deposition rate. We noticed that the high frequency mode (13.56 MHz) gives a low stress value which can be tuned from tensile to compressive by selecting the correct power. The low frequency mode (380 kHz) generates high compressive stress (around 500 MPa) due to ion bombardment and, as a result, densification of the layer achieved. Temperature can decrease the compressive value of the stress (due to annealing effect). A low etching rate of the amorphous silicon carbide layer was noticed for wet etching in KOH 30% at 80 °C (around 13 A/min) while in HF 49% the layer is practically inert. A very slow etching rate of amorphous silicon carbide layer in XeF2 –7 A/min– was observed. The paper presents an example of this application: PECVD–amorphous silicon carbide cantilevers fabricated using surface micromachining by dry-released technique in XeF2.

مشخصه یابی لایه‌های کاربید سیلیسیم ایجاد شده به روش رسوب بخار شیمیایی تقویت‌شده با پلاسما

این مقاله، ویژگی‌های فیلم‌های آمورف سیلیکون کاربید لایه‌نشانی شده در راکتورهای رسوب شیمیایی تقویت‌شده با پلاسما (PEVD)برای کاربردهای MEMS را نشان می‌دهد. پارامتر اصلی به منظور دستیابی به تنش کم و نرخ رسوب بالا بهینه‌سازی شد. ما متوجه شدیم که مد فرکانس بالا (۱۳.۵۶ MHz)یک مقدار تنش پایین می‌دهد که می‌تواند با انتخاب توان صحیح از کشش به تراکم تنظیم شود. مد فرکانس پایین (kHz۳۸۰)تنش فشاری بالایی (در حدود Mpa ۵۰۰)به دلیل بمباران یونی ایجاد می‌کند و در نتیجه تراکم لایه به‌دست‌آمده را افزایش می‌دهد. دما می‌تواند مقدار فشاری تنش را کاهش دهد (به دلیل اثر بازپخت). نرخ پایین اچینگ لایه کاربید سیلیکون آمورف برای اچینگ مرطوب در KOH ۳۰ % در ۸۰ درجه سانتیگراد (حدود ۱۳ A / min)مشاهده شد، در حالی که در HF ۴۹ % لایه عملا خنثی است. نرخ زدایش بسیار آهسته لایه آمورف سیلیکون کاربید در XeF۲ - ۷ A / min - مشاهده شد. این مقاله نمونه‌ای از این کاربرد را ارائه می‌دهد: نفوذگرهای کربن - سیلیکون آمورف ساخته‌شده با استفاده از میکروماشینکاری سطحی با استفاده از تکنیک آزاد سازی خشک در XeF۲.
ترجمه شده با


پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله Materials Chemistry
  • ترجمه مقاله Materials Chemistry
  • مقاله شیمی مواد
  • ترجمه مقاله شیمی مواد
  • مقاله Metals and Alloys
  • ترجمه مقاله Metals and Alloys
  • مقاله فلزات و آلیاژ
  • ترجمه مقاله فلزات و آلیاژ
  • مقاله Surfaces, Coatings and Films
  • ترجمه مقاله Surfaces, Coatings and Films
  • مقاله سطوح، روکش‌ها و لایه‌ها
  • ترجمه مقاله سطوح، روکش‌ها و لایه‌ها
  • مقاله Surfaces and Interfaces
  • ترجمه مقاله Surfaces and Interfaces
  • مقاله سطوح و واسط‌ها
  • ترجمه مقاله سطوح و واسط‌ها
  • مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • ترجمه مقاله Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
  • ترجمه مقاله مواد الکترونیک، نوری و مغناطیسی
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.