view in publisher's site

Hysteresis-free deposition of TiOxNy thin films: Effect of the reactive gas mixture and oxidation of the TiN layers on process control

Highlights•The addition of N2 allows the deposition with fractions of TiO2 at any value.•Nitrogen accelerates the formation of oxides due to the TiN oxidation.•The addition of N2 allows the deposition of TiO2 films in the hysteresis-free mode.AbstractThis paper investigates the effect of the reactive gas mixture (N2 + O2 + Ar) and oxidation of the nitride layers on the system stability during the reactive sputter deposition of TiOxNy thin films. The present research is an extension of previous investigations conducted by Severin et al. (Appl. Phys. Lett., 88 (2006) 161504) and Duarte et al. (Appl. Surf. Sci., 269 (2013) 55–59) in which the Berg's model was used to study reactive deposition of oxynitrides. The results show that the addition of N2 to the process avoids the formation of a hysteresis loop and facilitates the deposition of films with fractions of TiO2 at any value. These achievements are not possible without this procedure. In contrast, despite eliminating plasma instabilities, the addition of N2 decreases the mass deposition rate due to the modifications in the sputtering yield. Other results show that the oxidation of TiN also plays a key role in the mass deposition rate and in the hysteresis loop.

Hysteresis - رسوب آزاد لایه‌های نازک TiOxNy: تاثیر ترکیب گاز راکتیو و اکسیداسیون لایه‌های TiN بر روی کنترل فرآیند

کاره‌ای مهم: اضافه کردن N۲ به رسوب با مقادیر TiO۲ در هر مقدار اجازه می‌دهد. نیتروژن تشکیل اکسیده‌ای به خاطر اکسیداسیون TiN را تسریع می‌کند. اضافه کردن N۲ اجازه می‌دهد تا رسوب لایه‌های TiO۲ در مقاله عاری از پسماند به بررسی اثر مخلوط گاز راکتیو (N۲ + O۲)و اکسیداسیون لایه‌های نیترید به ثبات سیستم در طول رسوب واکنش پذیر فیلم‌های نازک TiOxNy می‌پردازد. تحقیقات حاضر، شاخه‌ای از بررسی‌های قبلی است که توسط Severin و همکاران (Appl انجام شد. Phys. Lett. ، ۸۸ و Duarte و همکاران (۲۰۰۶. Surf. مشخص شد. ، (۲۰۱۳)۵۵ - ۵۵ است که در آن مدل Berg's برای مطالعه رسوب واکنش پذیر of مورد استفاده قرار گرفت. نتایج نشان می‌دهد که اضافه کردن N۲ به فرآیند از تشکیل حلقه پسماند جلوگیری می‌کند و رسوب فیلم را با مقادیر TiO۲ در هر مقدار تسهیل می‌کند. این دستاوردها بدون این روش ممکن نیستند. در مقابل، علی‌رغم حذف نا instabilities پلاسما، اضافه کردن N۲ نرخ رسوب جرم را به دلیل تغییرات در بازده sputtering کاهش می‌دهد. نتایج دیگر نشان می‌دهد که اکسیداسیون of نیز نقش کلیدی در نرخ رسوب جرم و حلقه پسماند ایفا می‌کند.
ترجمه شده با


پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله Condensed Matter Physics
  • ترجمه مقاله Condensed Matter Physics
  • مقاله فیزیک ماده چگال
  • ترجمه مقاله فیزیک ماده چگال
  • مقاله Surfaces, Coatings and Films
  • ترجمه مقاله Surfaces, Coatings and Films
  • مقاله سطوح، روکش‌ها و لایه‌ها
  • ترجمه مقاله سطوح، روکش‌ها و لایه‌ها
  • مقاله Instrumentation
  • ترجمه مقاله Instrumentation
  • مقاله دستگاهش
  • ترجمه مقاله دستگاهش
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.