view in publisher's site

Carrier conduction in thin silicon nitride films

Carrier conduction in thin chemical vapor deposition (CVD) silicon nitride films in the thickness range 467 Å⩾tN⩾88 Å is investigated. The dominant carriers flowing through the thin nitride films are holes for both polarities. The enormous increase of current with decreasing film thickness can be explained by a thickness fluctuation model. The thickness fluctuation of about 25 Å is obtained in the electrical measurement. This model is confirmed by observing the appearance of microhillocks on the surface of oxidized thin nitride films.

هدایت حامل در فیلم‌های نازک سیلیکون نیترید

؟ در این پایان‌نامه از روش انتقال حرارت با استفاده از لایه نازک اکسید سیلیکون (CVD ذرات در ضخامت ۴۶۷ AtN۸۸ A)مورد بررسی قرار گرفته‌است. حامل‌های برجسته‌ای که از میان لایه‌های نازک نیترید وارد می‌شوند، برای هر دوی آن‌ها سوراخی ایجاد می‌کنند. افزایش قابل‌توجه جریان با ضخامت لایه می‌تواند با یک مدل نوسان ضخامت توضیح داده شود. نوسان ضخامت حدود ۲۵ A در اندازه‌گیری الکتریکی بدست می‌آید. این مدل با مشاهده ظاهر of روی سطح فیلم‌های با نیترید اکسید شده تایید می‌شود.
ترجمه شده با


پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله Physics and Astronomy (miscellaneous)
  • ترجمه مقاله Physics and Astronomy (miscellaneous)
  • مقاله فیزیک و ستاره‌شناسی (متفرقه)
  • ترجمه مقاله فیزیک و ستاره‌شناسی (متفرقه)
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.