view in publisher's site

A theoretical study of temperature distributions during Czochralski crystal growth

A theoretical model is presented which enables temperature gradients during Czochralski crystal growth to be studied. For the first time the neck and the seed are included in such calculations; and, by using the model to study two elements which can be grown dislocation-free (viz. copper and silicon), it is shown that small changes in neck dimensions greatly affect metal crystal temperature gradients, but not semiconductor crystal temperature gradients. The seed dimensions are shown to be of minor importance in determining such gradients. When the radiated heat losses are high, the most effective way to reduce solid-liquid interfacial temperature gradients is to increase the diameter of the crystal; this implies that it may be easier to grow large crystals with low thermal stresses than small crystals.

مطالعه نظری توزیع دما در طول رشد بلور

یک مدل نظری ارایه شده‌است که شیب‌های دما را در طول رشد بلور Czochralski مورد مطالعه قرار می‌دهد. برای اولین بار گردن و دانه در چنین محاسبات گنجانده می‌شوند؛ و با استفاده از این مدل برای مطالعه دو عنصر که می‌توانند از جابجایی ناشی از جابجایی آزاد شوند (به طور خلاصه. نشان داده می‌شود که تغییرات کوچک در ابعاد گردن تا حد زیادی بر شیب دمایی بلور فلزی تاثیر می‌گذارد، اما با اختلاف دمای کریستال نیمه‌هادی وجود ندارد. ابعاد بذر در تعیین این گرادیان دارای اهمیت جزیی هستند. هنگامی که اتلاف گرما ساطع شده بالا باشد، موثرترین راه برای کاهش گرادیان دمایی بین سطحی جامد، افزایش قطر بلور است؛ این نشان می‌دهد که رشد کریستال‌های بزرگ با تنش‌های حرارتی پایین نسبت به کریستال‌های کوچک آسان‌تر است.

ترجمه شده با

Download PDF سفارش ترجمه این مقاله این مقاله را خودتان با کمک ترجمه کنید
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.