view in publisher's site

Vertically stacked gate-all-around Si nanowire transistors: Key Process Optimizations and Ring Oscillator Demonstration

We report on CMOS-integrated vertically stacked gate-all-around (GAA) Si nanowire (NW) MOSFETs with in-situ doped source-drain stressors and dual work function metal gates. We demonstrate that oxidation-induced SiGe/Si fin deformation by STI densification is effectively suppressed by a SiN liner. This SiN fin protection improves the controllability of nanowire formation. In addition, highly-selective Si nano-wire release and inner spacer cavity formation without Si re-flow are demonstrated. Finally, for the first time we report functional ring oscillators based on stacked Si NW-FETs.

ترانزیستورهای بر روی هم انباشته - همه - در اطراف ترانزیستورهای نانوسیم ¬ های نانوسیم ¬ ها با استفاده از ترانزیستورهای نانوسیم ¬ های مبتنی بر نانوسیم‌های سیلیکنی قابل‌استفاده است.

ما بر روی یک گیت عمودی که به طور عمودی نصب شده‌اند، گزارش می‌دهیم - تماما - اطراف (GAA)نانوسیم ¬ های تغلیظ شده بر روی نانوسیم‌های سیلیکنی (NW). ما نشان می‌دهیم که تغییر شکل فین - Si ناشی از اکسیداسیون توسط densification STI به طور موثر توسط یک خط‌کش sin سرکوب می‌شود. این حفاظت از باله sin کنترل controllability تشکیل نانوسیم را بهبود می‌بخشد. علاوه بر این، انتشار سیم‌خاردار بسیار انتخابی سیلیکن و تشکیل حفره درونی درونی بدون جریان دوباره Si نشان داده می‌شود. در نهایت، برای اولین بار ما نوسان باند عملکردی مبتنی بر روی هم NW Si - FET ها را گزارش می‌کنیم.

ترجمه شده با

Download PDF سفارش ترجمه این مقاله این مقاله را خودتان با کمک ترجمه کنید
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.