view in publisher's site

Design of Energy Efficient SRAM Cell Based on Double Gate Schottky-Barrier-Type GNRFET with Minimum Dimer Lines

true

طراحی سلول SRAM موثر بر مبنای گیت دوتایی Schottky گیت با حداقل خطوط Dimer

۱
ترجمه شده با

سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.