view in publisher's site

Polycrystalline Cu(InGa)Se2 Thin-Film Solar Cells with ZnSe Buffer Layers

A ZnSe buffer layer has been applied as an attractive alternative to a CdS buffer layer in the development of polycrystalline Cu(InGa)Se2 (CIGS) thin-film solar cells, thus eliminating entirely the use of cadmium by employing the ZnO/ZnSe/CIGS structure. Moreover, we propose the use of a new deposition method for ZnSe buffer layers, the atomic-layer deposition (ALD) method. This method is basically the same as an "atomic-layer epitaxy" method but is applied to polycrystalline materials. Currently the best efficiency of CIGS thin-film solar cells with an about 10-nm-thick ZnSe buffer layer is 11.6%. Applying irradiation with a solar simulator under one-sun (AM-1.5, 100 mW/cm2) conditions, the efficiency of these cells was improved from about 5% to over 11% due to increased open-circuit voltage and fill factor with no change in short-circuit current density even after six-hour irradiation.

سلول‌های خورشیدی polycrystalline Cu (inga)Se۲ Thin - Film خورشیدی با لایه‌های بافر znse

لایه بافر znse به عنوان جایگزین مناسبی برای لایه بافر CdS در توسعه سلول‌های خورشیدی لایه نازک (inga)Cu (CIGS)Se۲ (CIGS)استفاده شده‌است، در نتیجه کاربرد کادمیم را با استفاده از ساختار ZnO / znse / CIGS حذف می‌کند. علاوه بر این، ما استفاده از روش رسوب جدید برای لایه‌های بافر znse، روش لایه اتمی لایه اتمی (ALD)را پیشنهاد می‌کنیم. این روش اساسا مشابه روش "epitaxy لایه اتمی" است اما برای مواد بلوری به کار می‌رود. در حال حاضر بهترین راندمان سلول‌های خورشیدی لایه نازک با لایه بافر thick ۱۰ nm ۱۱.۶ % است. استفاده از تابش با یک شبیه‌ساز خورشیدی تحت شرایط یک خورشید (AM - ۱.۵، ۱۰۰ mW / cm۲)، بازده این سلول‌ها از حدود ۵ % به بیش از ۱۱ % افزایش یافت.

ترجمه شده با

Download PDF سفارش ترجمه این مقاله این مقاله را خودتان با کمک ترجمه کنید
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.