view in publisher's site

Properties of Semiconductive Barium Titanates

The resistivity of barium titanate which is usually of the order of 10 9 ∼10 12 ohm-cm, may be remarkably reduced with suitable control in valency. The valency-controlled barium titanate, whose resistivity is of the order of 10∼10 4 ohm-cm at room temperature, shows anomalous positive character in the temperature dependency of the resistivity. For example, the resistivity of barium titanate containing 0.1 mol. percent of cerium abruptly changes by 10 4 between 120°C and 150°C. Some semiconductive properties and their relations to the crystal transition and the composition of the materials are reviewed, for the valency-controlled barium titanates, and assumptions are proposed for the role of additives on the reduction of the resistivity of the barium titanates.

ویژگی‌های تیتان های نیمه رسانا

مقاومت باریم تیتانات که معمولا از مرتبه ۱۰ - ۹ - ۱۰ - ۱۲ ohm - cm است، ممکن است به طور قابل‌توجهی با کنترل مناسب در ظرفیت کاهش یابد. مقاومت باریم تیتانات کنترل‌شده با ظرفیت، که مقاومت آن از مرتبه ۱۰۱۰ ۴ ohm - cm در دمای اتاق است، کاراکتر مثبت غیرعادی را در وابستگی دمایی مقاومت نشان می‌دهد. برای مثال، مقاومت باریم تیتانات حاوی ۰.۱ مول است. درصد سریم به طور ناگهانی بین ° C ۱۲۰ تا ° C ۱۵۰ به میزان ۴ - ۱۰ تغییر می‌کند. برخی خواص نیمه‌رسانا و روابط آن‌ها با انتقال بلوری و ترکیب مواد مورد بررسی قرار گرفته‌است، برای تیتانات باریم کنترل‌شده با ظرفیت، و فرضیات برای نقش مواد افزودنی در کاهش مقاومت الکتریکی تیتانات باریم پیشنهاد شده‌است.
ترجمه شده با


پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله General Physics and Astronomy
  • ترجمه مقاله General Physics and Astronomy
  • مقاله فیزیک و ستاره‌شناسی عمومی
  • ترجمه مقاله فیزیک و ستاره‌شناسی عمومی
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.