view in publisher's site

Growth kinetics and characterizations of gallium nitride thin films by remote PECVD

Thin films of GaN have been deposited at relatively low growth temperatures by remote plasma-enhanced chemical-vapor deposition (RPECVD), using a plasma excited NH3, and trimethylgallium (TMG), injected downstream from the plasma. The activation energy for GaN growth has been tentatively assigned to the dissociation of NH groups as the primary N-atom precursors in the surface reaction with adsorbed TMG, or TMG fragments. At high He flow rates, an abrupt increase in the growth rate is observed and corresponds to a change in the reaction mechanism attributed to the formation of atomic N. X-ray diffraction reveals an increased tendency to ordered growth in the 〈0001〉 direction with increasing growth temperature, He flow rate, and rf plasma power. Infrared spectra show the fundamental lattice mode of GaN at 530 cm−1 without evidence for vibrational modes of hydrocarbon groups.

سینتیک رشد و مشخصه یابی لایه‌های نازک نیترید گالیم با استفاده از روش از راه دور SPECVD

ترجمه شده با

پر ارجاع‌ترین مقالات مرتبط:

  • مقاله Condensed Matter Physics
  • ترجمه مقاله Condensed Matter Physics
  • مقاله فیزیک ماده چگال
  • ترجمه مقاله فیزیک ماده چگال
  • مقاله Mechanics of Materials
  • ترجمه مقاله Mechanics of Materials
  • مقاله مکانیک مواد
  • ترجمه مقاله مکانیک مواد
  • مقاله General Materials Science
  • ترجمه مقاله General Materials Science
  • مقاله علوم مواد عمومی
  • ترجمه مقاله علوم مواد عمومی
  • مقاله Mechanical Engineering
  • ترجمه مقاله Mechanical Engineering
  • مقاله مهندسی مکانیک
  • ترجمه مقاله مهندسی مکانیک
سفارش ترجمه مقاله و کتاب - شروع کنید

95/12/18 - با استفاده از افزونه دانلود فایرفاکس و کروم٬ چکیده مقالات به صورت خودکار تشخیص داده شده و دکمه دانلود فری‌پیپر در صفحه چکیده نمایش داده می شود.